匠心打造 铸就精品

第三代半导体材料以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等为代表，在电和光的转化方面性能突出，在微波信号输出方面的效率更高，可广泛应用到照明、显示、通讯领域。

功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心。功率半导体主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等，是电子装置中电能转换与电路控制的核心，一般可以分为功率 IC 和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括二极管、晶闸管、晶体管等产品，晶体管又可以分为IGBT、MOSFET和双极晶体管等。

功率半导体最早出现在1950年代，1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管，并在60年代得到广泛应用；1980年后逐渐发展出功率各种新型晶闸管，单极性MOSFET，双极性MOSFET；90年代研发出IGBT，此后逐步出现功率模块和集成功率器件。