第一代半导体材料主要是硅（Si）、锗（Ge），适用于数据的运算和存储；

第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）等化合物为代表，主要用于信息通信领域，包括半导体激光器、光纤通信、宽带网等信息传输和存储等；

第三代半导体材料以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等为代表，在电和光的转化方面性能突出，在微波信号输出方面的效率更高，可广泛应用到照明、显示、通讯领域。

与第一二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料。