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功率半导体最早出现在1950年代，1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管，并在60年代得到广泛应用；1980年后逐渐发展出功率各种新型晶闸管，单极性MOSFET，双极性MOSFET；90年代研发出IGBT，此后逐步出现功率模块和集成功率器件。
目前功率器件主要以 Si （硅）基材料为主，包括 SOI 高压集成电路，随着第三代半导体的发展，以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料开始成为功率半导体的新兴材料。
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